HGTG5N120BND
HGTG5N120BND
产品价格:¥7.8750(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
  • 品牌:
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    企业证件:通过认证

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    商品详情
      产品参数
      品牌ON
      封装TO-247-3
      批号19
      数量30150
      制造商ON Semiconductor
      产品种类IGBT 晶体管
      RoHS
      封装 / 箱体TO-247-3
      安装风格Through Hole
      配置Single
      集电极—射极饱和电压2.45 V
      栅极/发射极最大电压20 V
      在25 C的连续集电极电流21 A
      Pd-功率耗散167 W
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      系列
      集电极最大连续电流 Ic21 A
      高度20.82 mm
      长度15.87 mm
      宽度4.82 mm
      集电极连续电流21 A
      栅极—射极漏泄电流 /- 250 nA
      零件号别名_NL
      单位重量6.390 g
      可售卖地全国
      型号


      技术参数

      品牌:ON
      型号:HGTG5N120BND
      封装:TO-247-3
      批号:19
      数量:30150
      制造商:ON Semiconductor
      产品种类:IGBT 晶体管
      RoHS:
      封装 / 箱体:TO-247-3
      安装风格:Through Hole
      配置:Single
      集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
      集电极—射极饱和电压:2.45 V
      栅极/发射极最大电压:20 V
      在25 C的连续集电极电流:21 A
      Pd-功率耗散:167 W
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 150 C
      系列:HGTG5N120BND
      集电极最大连续电流 Ic:21 A
      高度:20.82 mm
      长度:15.87 mm
      宽度:4.82 mm
      集电极连续电流:21 A
      栅极—射极漏泄电流: /- 250 nA
      零件号别名:HGTG5N120BND_NL
      单位重量:6.390 g
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