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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) | ||
| 批号 | 19 | ||
| 数量 | 72000 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-23-3 | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| 晶体管极性 | P-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 8 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 120 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V | ||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 1 V | ||
| Qg-栅极电荷 | 12 nC | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 960 mW | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 0.94 mm | ||
| 长度 | 2.9 mm | ||
| 系列 | NTR2101P | ||
| 晶体管类型 | 1 P-Channel | ||
| 宽度 | 1.3 mm | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 9 S | ||
| 下降时间 | 31 ns | ||
| 上升时间 | 15.75 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 7.4 ns | ||
| 单位重量 | 8 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | |||
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技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NTR2101PT1G |
| 封装： | SOT-23(SOT-23-3) |
| 批号： | 19 |
| 数量： | 72000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 8 V |
| Id-连续漏极电流： | 3.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 120 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | - 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 12 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 960 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.94 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | NTR2101P |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 9 S |
| 下降时间： | 31 ns |
| 上升时间： | 15.75 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 38 ns |
| 典型接通延迟时间： | 7.4 ns |
| 单位重量： | 8 mg |
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