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产品参数 | |||
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STP23NM50N 场效应管MOSFET ST/意法半导体 封装TO-220 批次2021 品牌 | ST/意法半导体 | ||
封装 | TO-220 | ||
批号 | 2021 | ||
数量 | 2000 | ||
制造商 | STMicroelectronics | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
技术 | Si | ||
安装风格 | Through Hole | ||
封装 / 箱体 | TO-220-3 | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V | ||
Id-连续漏极电流 | 17 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 162 mOhms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | - 25 V | ||
25 V | |||
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V | ||
Qg-栅极电荷 | 45 nC | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
Pd-功率耗散 | 125 W | ||
通道模式 | Enhancement | ||
商标名 | MDmesh | ||
配置 | Single | ||
系列 | STP23NM50N | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
商标 | STMicroelectronics | ||
产品类型 | MOSFET | ||
工厂包装数量 | 1000 | ||
子类别 | MOSFETs | ||
单位重量 | 330 mg | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | STP23NM50N |