STP23NM50N场效应管MOSFETST\/意法半导体封装TO-220批次2021
STP23NM50N场效应管MOSFETST\/意法半导体封装TO-220批次2021
产品价格:¥5.0000(人民币)
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    商品详情
      产品参数
      STP23NM50N 场效应管MOSFET ST/意法半导体 封装TO-220 批次2021 品牌ST/意法半导体
      封装TO-220
      批号2021
      数量2000
      制造商STMicroelectronics
      产品种类MOSFET
      RoHS
      技术Si
      安装风格Through Hole
      封装 / 箱体TO-220-3
      晶体管极性N-Channel
      通道数量1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压500 V
      Id-连续漏极电流17 A
      Rds On-漏源导通电阻162 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压- 25 V
      25 V
      Vgs th-栅源极阈值电压2 V
      Qg-栅极电荷45 nC
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      Pd-功率耗散125 W
      通道模式Enhancement
      商标名MDmesh
      配置Single
      系列STP23NM50N
      晶体管类型1 N-Channel
      商标STMicroelectronics
      产品类型MOSFET
      工厂包装数量1000
      子类别MOSFETs
      单位重量330 mg
      可售卖地全国
      型号STP23NM50N

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