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FF150R12ME3G集成电路、处理器、微控制器英飞凌\/Infineon批次21
产品价格：￥0.99（人民币）
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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| FF150R12ME3G 集成电路、处理器、微控制器 英飞凌/Infineon 批次21 品牌 | 英飞凌 | ||
| 批号 | 21 | ||
| 数量 | 10000 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 产品种类 | IGBT模块 | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7V | ||
| 在25C的连续集电极电流 | 200A | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | 400nA | ||
| Pd-功率耗散 | 695W | ||
| 封装/箱体 | EconoDUAL-3 | ||
| 最小工作温度 | -40C | ||
| 最大工作温度 | 125C | ||
| 高度 | 17mm | ||
| 长度 | 152mm | ||
| 宽度 | 62mm | ||
| 安装风格 | ChassisMount | ||
| 栅极/发射极最大电压 | 20V | ||
| 单位重量 | 345g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | FF150R12ME3G | ||
技术参数
| 品牌： | 英飞凌/Infineon |
| 型号： | FF150R12ME3G |
| 批号： | 21 |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 200 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| Pd-功率耗散： | 695 W |
| 封装 / 箱体： | EconoDUAL-3 |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | 125 C |
| 高度： | 17 mm |
| 长度： | 152 mm |
| 宽度： | 62 mm |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 零件号别名： | FF150R12ME3GBOSA1 SP000317332 FF150R12ME3GBOSA1 |
| 单位重量： | 345 g |
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