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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| IXFN100N65X2 电子元器件 IXYS/艾赛斯 封装标准封装 批次21 品牌 | 艾赛斯 | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 21 | ||
| 数量 | 5000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | ChassisMount | ||
| 封装/箱体 | SOT-227-4 | ||
| 通道数量 | 1Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 650V | ||
| Id-连续漏极电流 | 78A | ||
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30mOhms | ||
| Vgs-栅极-源极电压 | 10V | ||
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5V | ||
| Qg-栅极电荷 | 183nC | ||
| 最小工作温度 | -55C | ||
| 最大工作温度 | 150C | ||
| Pd-功率耗散 | 595W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 系列 | 650VUltraJunctionX2 | ||
| 晶体管类型 | 1N-Channel | ||
| 正向跨导-最小值 | 40S | ||
| 下降时间 | 13ns | ||
| 上升时间 | 26ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 90ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 37ns | ||
| 单位重量 | 30g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | IXFN100N65X2 | ||
技术参数
| 品牌： | IXYS/艾赛斯 |
| 型号： | IXFN100N65X2 |
| 封装： | 标准封装 |
| 批号： | 21 |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | IXYS |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 封装 / 箱体： | SOT-227-4 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 78 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 30 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 183 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 595 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | 650V Ultra Junction X2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 40 S |
| 下降时间： | 13 ns |
| 上升时间： | 26 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 90 ns |
| 典型接通延迟时间： | 37 ns |
| 单位重量： | 30 g |
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