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产品参数 | |||
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品牌 | TI | ||
封装 | LSON-8 | ||
批号 | 23 | ||
数量 | 3531 | ||
制造商 | Texas Instruments | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安装风格 | SMD/SMT | ||
封装 / 箱体 | VSON-CLIP-8 | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V | ||
Id-连续漏极电流 | 100 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 1 mOhms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V | ||
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.1 V | ||
Qg-栅极电荷 | 49 nC | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
Pd-功率耗散 | 195 W | ||
配置 | Single | ||
通道模式 | Enhancement | ||
高度 | 1 mm | ||
长度 | 6 mm | ||
系列 | CSD17573Q5B | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
宽度 | 5 mm | ||
正向跨导 - 最小值 | 181 S | ||
下降时间 | 7 ns | ||
上升时间 | 20 ns | ||
典型关闭延迟时间 | 40 ns | ||
典型接通延迟时间 | 6 ns | ||
单位重量 | 91.700 mg | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | CSD17573Q5B |