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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 模块 | ||
| 产品特性 | 电子元件 | ||
| 封装 | 标准 | ||
| 批号 | 22 | ||
| IGBT类型 | IGBT | ||
| 配置类型 | 标准 | ||
| 集射极击穿电压(VCEO) | 1200V | ||
| 最大集电极电流(Icm) | 75A | ||
| 集电极截止电流 | 75A | ||
| 最大耗散功率 | 280mW | ||
| 工作温度范围 | -40 125 | ||
| 安装类型 | 标准 | ||
| 应用领域 | 电工电气 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | BSM75GD120DN2 | ||
       产品型号 | BSM75GD120DN2 |
| 制造商编号 | 641-BSM75GD120DN2 |
| 描述 | IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE |
| 产品种类 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Hex |
| 集电极—发射极电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 103 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 320 nA |
| 功率耗散 | 520 W |
| 工作温度 | 150 C |
| 封装 / 箱体 | EconoPACK 3A |
| 栅极/发射极电压 | 20 V |
| 安装风格 | Screw |
苏州新杰邦电子主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron，IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美国IR、NELL尼尔；英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的IGBT、可控硅、整流桥、二极管 日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器
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