MJD32CT4G三极管ON\/FAIRCHILD封装-批次22
MJD32CT4G三极管ON\/FAIRCHILD封装-批次22
产品价格:¥1.0700(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
  • 品牌:
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    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
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    商品详情
      产品参数
      MJD32CT4G 三极管 ON/FAIRCHILD 封装- 批次22 品牌ON/FAIRCHILD
      批号22
      数量27500
      制造商ON Semiconductor
      产品种类双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
      RoHS
      安装风格SMD/SMT
      封装 / 箱体TO-252-3
      晶体管极性PNP
      配置Single
      集电极—基极电压 VCBO100 V
      发射极 - 基极电压 VEBO5 V
      集电极—射极饱和电压1.2 V
      最大直流电集电极电流3 A
      Pd-功率耗散1.56 W
      增益带宽产品fT3 MHz
      最小工作温度- 65 C
      最大工作温度 150 C
      系列MJD32C
      高度2.38 mm
      长度6.73 mm
      技术Si
      宽度6.22 mm
      商标ON Semiconductor / Fairchild
      集电极连续电流3 A
      直流集电极/Base Gain hfe Min25
      产品类型BJTs - Bipolar Transistors
      工厂包装数量2500
      子类别Transistors
      单位重量1 g
      可售卖地全国
      型号MJD32CT4G


      技术参数

      品牌:ON/FAIRCHILD
      型号:MJD32CT4G
      封装:-
      批号:22
      数量:27500
      制造商:ON Semiconductor
      产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
      RoHS:
      安装风格:SMD/SMT
      封装 / 箱体:TO-252-3
      晶体管极性:PNP
      配置:Single
      集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
      集电极—基极电压 VCBO:100 V
      发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
      集电极—射极饱和电压:1.2 V
      最大直流电集电极电流:3 A
      Pd-功率耗散:1.56 W
      增益带宽产品fT:3 MHz
      最小工作温度:- 65 C
      最大工作温度: 150 C
      系列:MJD32C
      高度:2.38 mm
      长度:6.73 mm
      技术:Si
      宽度:6.22 mm
      商标:ON Semiconductor / Fairchild
      集电极连续电流:3 A
      直流集电极/Base Gain hfe Min:25
      产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
      工厂包装数量:2500
      子类别:Transistors
      单位重量:1 g
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