DMT47M2SFVWQ-7电子元器件DIODES封装-批次21
DMT47M2SFVWQ-7电子元器件DIODES封装-批次21
产品价格:¥3.98(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
  • 品牌:
  • 最小起订量:1
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    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:深圳市百能信息技术有限公司

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    商品详情
      产品参数
      品牌DIODES
      批号21
      数量30
      制造商Diodes Incorporated
      产品种类MOSFET
      安装风格SMD/SMT
      封装 / 箱体PowerDI3333-8
      晶体管极性N-Channel
      通道数量1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压40 V
      Id-连续漏极电流49.1 A
      Rds On-漏源导通电阻7.5 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压- 20 V
      20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压4 V
      Qg-栅极电荷12.1 nC
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      Pd-功率耗散2.67 W
      通道模式Enhancement
      资格AEC-Q101
      配置Single
      晶体管类型1 N-Channel
      下降时间5.59 ns
      上升时间4.54 ns
      典型关闭延迟时间12.1 ns
      典型接通延迟时间5.36 ns
      可售卖地全国
      型号DMT47M2SFVWQ-7


      技术参数

      品牌:DIODES
      型号:DMT47M2SFVWQ-7
      封装:-
      批号:21
      数量:30
      制造商:Diodes Incorporated
      产品种类:MOSFET
      安装风格:SMD/SMT
      封装 / 箱体:PowerDI3333-8
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:40 V
      Id-连续漏极电流:49.1 A
      Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
      Qg-栅极电荷:12.1 nC
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 150 C
      Pd-功率耗散:2.67 W
      通道模式:Enhancement
      资格:AEC-Q101
      配置:Single
      晶体管类型:1 N-Channel
      下降时间:5.59 ns
      上升时间:4.54 ns
      典型关闭延迟时间:12.1 ns
      典型接通延迟时间:5.36 ns
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