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产品参数 | |||
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品牌 | DIODES | ||
批号 | 21 | ||
数量 | 30 | ||
制造商 | Diodes Incorporated | ||
产品种类 | MOSFET | ||
安装风格 | SMD/SMT | ||
封装 / 箱体 | PowerDI3333-8 | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V | ||
Id-连续漏极电流 | 49.1 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V | ||
20 V | |||
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V | ||
Qg-栅极电荷 | 12.1 nC | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
Pd-功率耗散 | 2.67 W | ||
通道模式 | Enhancement | ||
资格 | AEC-Q101 | ||
配置 | Single | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
下降时间 | 5.59 ns | ||
上升时间 | 4.54 ns | ||
典型关闭延迟时间 | 12.1 ns | ||
典型接通延迟时间 | 5.36 ns | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | DMT47M2SFVWQ-7 |
品牌: | DIODES |
型号: | DMT47M2SFVWQ-7 |
封装: | - |
批号: | 21 |
数量: | 30 |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerDI3333-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 49.1 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 7.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 12.1 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.67 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Single |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | 5.59 ns |
上升时间: | 4.54 ns |
典型关闭延迟时间: | 12.1 ns |
典型接通延迟时间: | 5.36 ns |