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产品参数 | |||
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品牌 | INFINEON | ||
封装 | TO-220(TO-220-3) | ||
批号 | 20 | ||
数量 | 102000 | ||
制造商 | Infineon | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安装风格 | Through Hole | ||
封装 / 箱体 | TO-220-3 | ||
晶体管极性 | P-Channel | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V | ||
Id-连续漏极电流 | 70 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 20 mOhms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V | ||
20 V | |||
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V | ||
Qg-栅极电荷 | 180 nC | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
Pd-功率耗散 | 170 W | ||
通道模式 | Enhancement | ||
配置 | Single | ||
高度 | 15.65 mm | ||
长度 | 10 mm | ||
晶体管类型 | 1 P-Channel | ||
宽度 | 4.4 mm | ||
单位重量 | 2 g | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | IRF4905PBF |
品牌: | INFINEON |
型号: | IRF4905PBF |
封装: | TO-220(TO-220-3) |
批号: | 20 |
数量: | 102000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 55 V |
Id-连续漏极电流: | 70 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 20 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 180 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | 150 C |
Pd-功率耗散: | 170 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 15.65 mm |
长度: | 10 mm |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 4.4 mm |
单位重量: | 2 g |