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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | VISHAY | ||
| 封装 | PowerPAK SO-8 | ||
| 批号 | 1952 | ||
| 数量 | 110000 | ||
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） | ||
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | ||
| 系列 | TrenchFET? | ||
| FET 类型 | N 通道 | ||
| 漏源电压（Vdss） | 60V | ||
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.6A（Ta） | ||
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA | ||
| Vgs（最大值） | ±20V | ||
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | ||
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | ||
| 安装类型 | 表面贴装型 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 类型 | 分立半导体产品 | ||
| 型号 | |||
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技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI7370DP-T1-GE3 |
| 封装： | PowerPAK SO-8 |
| 批号： | 1952 |
| 数量： | 110000 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | TrenchFET? |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 9.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 57nC @ 10V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 功率耗散（最大值）： | 1.9W（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
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