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产品参数 | |||
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2N7002K-7 丝印K7K SOT-23 N沟道 60V/380mA贴片场效应管 DIODES美台 品牌 | DIODES | ||
封装 | SOT-23 | ||
批号 | 20 | ||
数量 | 240000 | ||
制造商 | Diodes Incorporated | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
技术 | Si | ||
安装风格 | SMD/SMT | ||
封装 / 箱体 | SOT-23-3 | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V | ||
Id-连续漏极电流 | 380 mA | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 2 Ohms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V | ||
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V | ||
Qg-栅极电荷 | 0.3 nC | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
Pd-功率耗散 | 540 mW | ||
配置 | Single | ||
通道模式 | Enhancement | ||
封装 | Cut Tape | ||
封装 | MouseReel | ||
封装 | Reel | ||
高度 | 1 mm | ||
长度 | 2.9 mm | ||
产品 | MOSFET Small Signal | ||
系列 | 2N7002K | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
宽度 | 1.3 mm | ||
商标 | Diodes Incorporated | ||
下降时间 | 9.9 ns | ||
产品类型 | MOSFET | ||
上升时间 | 3.4 ns | ||
工厂包装数量 | 3000 | ||
子类别 | MOSFETs | ||
典型关闭延迟时间 | 15.7 ns | ||
典型接通延迟时间 | 3.9 ns | ||
单位重量 | 28 mg | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | 2N7002K-7 |
品牌: | DIODES |
型号: | 2N7002K-7 |
封装: | SOT-23 |
批号: | 20 |
数量: | 240000 |
制造商 : | Diodes Incorporated |
产品种类 : | MOSFET |
RoHS : | 是 |
技术 : | Si |
安装风格 : | SMD/SMT |
封装 / 箱体 : | SOT-23-3 |
通道数量 : | 1 Channel |
晶体管极性 : | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 : | 60 V |
Id-连续漏极电流 : | 380 mA |
Rds On-漏源导通电阻 : | 2 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 : | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 : | 1 V |
Qg-栅极电荷 : | 0.3 nC |
最小工作温度 : | - 55 C |
最大工作温度 : | 150 C |
Pd-功率耗散 : | 540 mW |
配置: | Single |
通道模式 : | Enhancement |
封装 : | Cut Tape |
封装 : | MouseReel |
封装 : | Reel |
高度 : | 1 mm |
长度 : | 2.9 mm |
产品 : | MOSFET Small Signal |
系列: | 2N7002K |
晶体管类型 : | 1 N-Channel |
宽度 : | 1.3 mm |
商标: | Diodes Incorporated |
下降时间 : | 9.9 ns |
产品类型 : | MOSFET |
上升时间 : | 3.4 ns |
工厂包装数量 : | 3000 |
子类别 : | MOSFETs |
典型关闭延迟时间 : | 15.7 ns |
典型接通延迟时间 : | 3.9 ns |
单位重量 : | 28 mg |