2N7002K-7丝印K7KSOT-23N沟道60V\/380mA贴片场效应管DIODES美台
2N7002K-7丝印K7KSOT-23N沟道60V\/380mA贴片场效应管DIODES美台
产品价格:¥0.2200(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
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    商品详情
      产品参数
      2N7002K-7 丝印K7K SOT-23 N沟道 60V/380mA贴片场效应管 DIODES美台 品牌DIODES
      封装SOT-23
      批号20
      数量240000
      制造商Diodes Incorporated
      产品种类MOSFET
      RoHS
      技术Si
      安装风格SMD/SMT
      封装 / 箱体SOT-23-3
      通道数量1 Channel
      晶体管极性N-Channel
      Vds-漏源极击穿电压60 V
      Id-连续漏极电流380 mA
      Rds On-漏源导通电阻2 Ohms
      Vgs - 栅极-源极电压10 V
      Vgs th-栅源极阈值电压1 V
      Qg-栅极电荷0.3 nC
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      Pd-功率耗散540 mW
      配置Single
      通道模式Enhancement
      封装Cut Tape
      封装MouseReel
      封装Reel
      高度1 mm
      长度2.9 mm
      产品MOSFET Small Signal
      系列2N7002K
      晶体管类型1 N-Channel
      宽度1.3 mm
      商标Diodes Incorporated
      下降时间9.9 ns
      产品类型MOSFET
      上升时间3.4 ns
      工厂包装数量3000
      子类别MOSFETs
      典型关闭延迟时间15.7 ns
      典型接通延迟时间3.9 ns
      单位重量28 mg
      可售卖地全国
      型号2N7002K-7


      技术参数

      品牌:DIODES
      型号:2N7002K-7
      封装:SOT-23
      批号:20
      数量:240000
      制造商 :Diodes Incorporated
      产品种类 :MOSFET
      RoHS :
      技术 :Si
      安装风格 :SMD/SMT
      封装 / 箱体 :SOT-23-3
      通道数量 :1 Channel
      晶体管极性 :N-Channel
      Vds-漏源极击穿电压 :60 V
      Id-连续漏极电流 :380 mA
      Rds On-漏源导通电阻 :2 Ohms
      Vgs - 栅极-源极电压 :10 V
      Vgs th-栅源极阈值电压 :1 V
      Qg-栅极电荷 :0.3 nC
      最小工作温度 :- 55 C
      最大工作温度 : 150 C
      Pd-功率耗散 :540 mW
      配置:Single
      通道模式 :Enhancement
      封装 :Cut Tape
      封装 :MouseReel
      封装 :Reel
      高度 :1 mm
      长度 :2.9 mm
      产品 :MOSFET Small Signal
      系列:2N7002K
      晶体管类型 :1 N-Channel
      宽度 :1.3 mm
      商标:Diodes Incorporated
      下降时间 :9.9 ns
      产品类型 :MOSFET
      上升时间 :3.4 ns
      工厂包装数量 :3000
      子类别 :MOSFETs
      典型关闭延迟时间 :15.7 ns
      典型接通延迟时间 :3.9 ns
      单位重量 :28 mg
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