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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 皓睿光电 | ||
| 尺寸 | 5*10mm10*10mm2英寸4英寸 | ||
| 晶向 | 0001 | ||
| 掺杂 | 硅掺无掺杂 | ||
| 抛光 | 双抛 | ||
| 数量 | 25片/盒 | ||
| 封装 | GN0001 | ||
| 批号 | GN0001 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 材质 | 氮化镓晶体 | ||
| 型号 | GN0001 | ||
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4英寸氮化镓晶体（硅掺）规格书
材质：氮化镓晶体
直径：100 ± 0.3 mm
厚度：400-500 um
表面取向： (0001) Ga face
掺杂类型：N型 硅Si掺杂
电阻率：≤0.02 ohm-cm
抛光：双面抛光
粗糙度Ra包装：单片盒包装
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氮化镓（GaN）半导体禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
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