PJA3406_R1_00001电子元器件PANJIT\/强茂封装SOT-23批次21
PJA3406_R1_00001电子元器件PANJIT\/强茂封装SOT-23批次21
产品价格:¥0.1000(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
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    商品详情
      产品参数
      PJA3406_R1_00001 电子元器件 PANJIT/强茂 封装SOT-23 批次21 品牌强茂
      封装SOT-23
      批号21
      数量108000
      制造商Panjit
      产品种类MOSFET
      RoHS
      技术Si
      安装风格SMD/SMT
      封装 / 箱体SOT-23-3
      晶体管极性N-Channel
      通道数量1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压30 V
      Id-连续漏极电流4.4 A
      Rds On-漏源导通电阻48 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压- 20 V
      20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压2.1 V
      Qg-栅极电荷5.8 nC
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      Pd-功率耗散1.25 W
      通道模式Enhancement
      配置Single
      系列NFET-30TMN
      晶体管类型1 N-Channel
      商标Panjit
      下降时间28 ns
      产品类型MOSFET
      上升时间39 ns
      工厂包装数量3000
      子类别MOSFETs
      典型关闭延迟时间23 ns
      典型接通延迟时间3 ns
      单位重量8 mg
      可售卖地全国
      型号PJA3406_R1_00001


      技术参数

      品牌:PANJIT/强茂
      型号:PJA3406_R1_00001
      封装:SOT-23
      批号:21
      数量:108000
      制造商:Panjit
      产品种类:MOSFET
      RoHS:
      技术:Si
      安装风格:SMD/SMT
      封装 / 箱体:SOT-23-3
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:30 V
      Id-连续漏极电流:4.4 A
      Rds On-漏源导通电阻:48 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V
      Qg-栅极电荷:5.8 nC
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 150 C
      Pd-功率耗散:1.25 W
      通道模式:Enhancement
      配置:Single
      系列:NFET-30TMN
      晶体管类型:1 N-Channel
      商标:Panjit
      下降时间:28 ns
      产品类型:MOSFET
      上升时间:39 ns
      工厂包装数量:3000
      子类别:MOSFETs
      典型关闭延迟时间:23 ns
      典型接通延迟时间:3 ns
      单位重量:8 mg
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