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产品参数 | |||
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品牌 | Infineon | ||
数量 | 12000 | ||
制造商 | Infineon | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安装风格 | SMD/SMT | ||
封装 / 箱体 | DirectFET-L8 | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V | ||
Id-连续漏极电流 | 270 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 700 Ohms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V | ||
Qg-栅极电荷 | 220 nC | ||
最小工作温度 | - 55 C | ||
最大工作温度 | 175 C | ||
Pd-功率耗散 | 125 W | ||
通道模式 | Enhancement | ||
配置 | Single | ||
高度 | 0.74 mm | ||
长度 | 9.15 mm | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
宽度 | 7.1 mm | ||
下降时间 | 42 ns | ||
上升时间 | 71 ns | ||
典型关闭延迟时间 | 56 ns | ||
典型接通延迟时间 | 21 ns | ||
零件号别名 | IRF7739L2TRPBF SP001559996 | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | IRF7739L2TRPBF |