AOS场效应管AON2409MOSFETP-CH30V8A6DFN
AOS场效应管AON2409MOSFETP-CH30V8A6DFN
产品价格:¥0.1650(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
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    商品详情
      产品参数
      品牌AOS
      封装DFN 2x2B
      批号20
      数量30000
      湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
      产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单个
      FET 类型P 通道
      漏源电压(Vdss)30V
      25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
      不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
      Vgs(最大值)±20V
      功率耗散(最大值)2.8W(Ta)
      工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
      安装类型表面贴装型
      封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
      可售卖地全国
      类型分立半导体产品
      型号AON2409


      技术参数

      品牌:AOS
      型号:AON2409
      封装:DFN 2x2B
      批号:20
      数量:30000
      对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
      湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
      类别:分立半导体产品
      产品族:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
      FET 类型:P 通道
      漏源电压(Vdss):30V
      25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Ta)
      驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
      不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 8A,10V
      不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA
      不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):14.5nC @ 10V
      Vgs(最大值):±20V
      不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):530pF @ 15V
      功率耗散(最大值):2.8W(Ta)
      工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
      安装类型:表面贴装型
      封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
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