FQPF4N90C场效应管ON封装TO-220F(TO-220IS)批号1920
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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | TO-220F(TO-220IS) | ||
| 批号 | 1920 | ||
| 数量 | 163000 | ||
| 制造商 | onsemi | ||
| 系列 | QFET? | ||
| FET 类型 | N 通道 | ||
| 漏源电压（Vdss） | 900 V | ||
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） | ||
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA | ||
| Vgs（最大值） | ±30V | ||
| 功率耗散（最大值） | 47W（Tc） | ||
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | ||
| 安装类型 | 通孔 | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 类型 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - | ||
| 型号 | FQPF4N90C | ||
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技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | FQPF4N90C |
| 封装： | TO-220F(TO-220IS) |
| 批号： | 1920 |
| 数量： | 163000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | onsemi |
| 系列： | QFET? |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 4.2 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 960 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值）： | 47W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
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