NTMFS5C670NLT1G
NTMFS5C670NLT1G
产品价格:¥1.1550(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:广东省深圳市
  • 品牌:
  • 最小起订量:1
  • 免费会员
    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:深圳市共强科技有限公司

    联系人:周先生(先生)

    联系手机:

    固定电话:

    企业邮箱:info@gqbetter.com

    联系地址:深圳市宝安区西乡街道共乐社区铁仔路九方广场2栋1503

    邮编:518000

    联系我时,请说是在电子快手网上看到的,谢谢!

    商品详情
      产品参数
      品牌ON
      封装SO-8 FL
      批号1950
      数量37500
      制造商onsemi
      产品种类MOSFET
      RoHS
      安装风格SMD/SMT
      封装 / 箱体SO-8FL-4
      晶体管极性N-Channel
      通道数量1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压60 V
      Id-连续漏极电流71 A
      Rds On-漏源导通电阻8.8 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压- 20 V
      20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压1.2 V
      Qg-栅极电荷20 nC
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 175 C
      Pd-功率耗散61 W
      通道模式Enhancement
      配置Single
      下降时间4 ns
      正向跨导 - 最小值82 S
      上升时间60 ns
      晶体管类型15 ns
      典型关闭延迟时间11 ns
      典型接通延迟时间750 mg
      可售卖地全国
      型号


      技术参数

      品牌:ON
      型号:NTMFS5C670NLT1G
      封装:SO-8 FL
      批号:1950
      数量:37500
      制造商:onsemi
      产品种类:MOSFET
      RoHS:
      安装风格:SMD/SMT
      封装 / 箱体:SO-8FL-4
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:60 V
      Id-连续漏极电流:71 A
      Rds On-漏源导通电阻:8.8 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
      Qg-栅极电荷:20 nC
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 175 C
      Pd-功率耗散:61 W
      通道模式:Enhancement
      配置:Single
      下降时间:4 ns
      正向跨导 - 最小值:82 S
      上升时间:60 ns
      晶体管类型:15 ns
      典型关闭延迟时间:11 ns
      典型接通延迟时间:750 mg
    在线询盘/留言
  • 0571-87774297