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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | TSOP-6 | ||
| 批号 | 1946 | ||
| 数量 | 9000 | ||
| 制造商 | onsemi | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | TSOP-6 | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| P-Channel | |||
| 通道数量 | 2 Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 8 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 3.3 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 55 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 8 V | ||
| 8 V | |||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 600 mV | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 830 mW | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 系列 | NTGD1100L | ||
| 配置 | Dual | ||
| 高度 | 0.94 mm | ||
| 长度 | 3 mm | ||
| 晶体管类型 | MOSFET | ||
| 宽度 | 20 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | |||
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技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NTGD1100LT1G |
| 封装： | TSOP-6 |
| 批号： | 1946 |
| 数量： | 9000 |
| 制造商： | onsemi |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TSOP-6 |
| 晶体管极性： | N-Channel, P-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 8 V |
| Id-连续漏极电流： | 3.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 55 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 8 V, 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 600 mV |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 830 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | NTGD1100L |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 0.94 mm |
| 长度： | 3 mm |
| 晶体管类型： | MOSFET |
| 宽度： | 20 mg |
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