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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | TO-263-3 | ||
| 批号 | 1951 | ||
| 数量 | 11200 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 5.4 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.3 Ohms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 3.13 W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 4.83 mm | ||
| 长度 | 10.67 mm | ||
| 系列 | FQB5N90 | ||
| 晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
| 宽度 | 9.65 mm | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 5.6 S | ||
| 下降时间 | 50 ns | ||
| 上升时间 | 65 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 28 ns | ||
| 零件号别名 | _NL | ||
| 单位重量 | 1.312 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | |||
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技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | FQB5N90TM |
| 封装： | TO-263-3 |
| 批号： | 1951 |
| 数量： | 11200 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 900 V |
| Id-连续漏极电流： | 5.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.3 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.13 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 4.83 mm |
| 长度： | 10.67 mm |
| 系列： | FQB5N90 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.65 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 5.6 S |
| 下降时间： | 50 ns |
| 上升时间： | 65 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 65 ns |
| 典型接通延迟时间： | 28 ns |
| 零件号别名： | FQB5N90TM_NL |
| 单位重量： | 1.312 g |
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