4英寸热氧化工艺单晶硅片,氧化硅片衬底晶圆,氧化层厚度定制
4英寸热氧化工艺单晶硅片,氧化硅片衬底晶圆,氧化层厚度定制
产品价格:¥200.00(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:江苏无锡
  • 品牌:
  • 最小起订量:1
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    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:江阴皓睿光电新材料有限公司

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    商品详情
      产品参数
      品牌皓睿光电
      尺寸4英寸100mm
      氧化单面、双面氧化
      氧化层厚20-1000nm
      抛光单面、双面抛光
      晶向100
      导电类型P型
      可售卖地全国
      材质单晶硅



      单晶硅片规格书

      材质:CZ法单晶硅/FZ区熔单晶硅
      直径:50.8mm(2英寸),100mm(4英寸)
      晶向:
      导电类型:P型
      抛光:单面抛光,双面抛光
      氧化:单面氧化,双面氧化
      抛光面粗糙度:氧化层:20nm-1000nm
      TTV≤10 um
      包装:25片/盒卡塞装



      硅材料是目前主要的元素半导体材料,用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等领域,是电子工业的基础材料。热氧化是硅平面技术中一项重要的工艺,硅与含有氧化物质的气体,如水汽和氧气在高温下进行化学反应,在硅片表面产生一层致密的二氧化硅(SiO2)绝缘薄膜,具有稳定的化学性质,在集成电路制造中有广泛的应用。





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