2英寸磷化铟晶圆规格书

材质：VFG垂直梯度凝固法生长磷化铟晶体
晶向： ± 0.1°
导电类型：N型，硫（S）掺杂
电阻率：(0.5~2.5)*10^-3 ohm.cm
迁移率：1000~2500
载流子浓度： (0.8-8)*10^18
直径：50.8 ± 0.2mm
厚度：350 ± 25mm
主定位边：US/EJ
次定位边：US/EJ
表面：单面抛光
TTV≤10 um
BOW≤15 um
WARP≤20 um
包装：单片卡塞盒装

* 磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，磷化铟具有闪锌矿型晶体结构，禁带宽度为1.34eV，常温下迁移率为3000—4500 cm2 /(V.S)，被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。以上的材料属性，使用磷化铟衬底制造的半导体器件，因其特殊的材料特性，被广泛应用于生产射频器件、光模块、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件，在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域具有广阔的应用空间。

* 磷化铟半导体材料具有宽禁带结构，并且电子在通过InP 材料时速度快，因此利用磷化铟芯片制造的卫星信号接收机和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率，并且有很宽的带宽，受外界影响较小，稳定性很高。因此，磷化铟是一种比砷化镓更先进的半导体材料, 有可能推动卫星通信业向更高频段发展。