2英寸砷化镓晶片规格书
级别：LED级(按应用分级）
材质：VFG垂直梯度凝固法生长砷化镓单晶
晶向：偏15度±1.0°
导电类型：N型，硅（Si）掺杂
电阻率：0.8-9E^-3 ohm.cm
位错密度： EPD 电子迁移率：Mobility >1000 cm2/v.s
直径：50.8 ± 0.2mm
厚度：350 um± 25mm
主定位边：EJ±1.0°，长32mm
次定位边：EJ±1.0°，长18mm
表面：单面抛光/双面抛光
TTV≤10 um
BOW≤20 um
WARP≤25 um
包装：25片/盒多片盒卡塞装

砷化镓（GaAs）是目前重要且成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域。砷化镓材料主要分为两类：半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。半绝缘砷化镓材料主要制作 MESFET、 HEMT 和 HBT 结构的集成电路。主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。半导体砷化镓材料主要应用于半导体激光器（LD）、半导体发光二极管（LED）、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池。