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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | 8-SMD | ||
| 批号 | 1948 | ||
| 数量 | 384000 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | ECH-8 | ||
| 通道数量 | 2 Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 24 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 10 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 11.6 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 12.5 V | ||
| Qg-栅极电荷 | 6 nC | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 1.6 W | ||
| 配置 | Dual | ||
| 系列 | ECH8697R | ||
| 晶体管类型 | 2 N-Channel | ||
| 下降时间 | 23600 ns | ||
| 上升时间 | 230 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 19700 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 160 ns | ||
| 单位重量 | 18.150 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | |||
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技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | ECH8697R-TL-W |
| 封装： | 8-SMD |
| 批号： | 1948 |
| 数量： | 384000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | ECH-8 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 24 V |
| Id-连续漏极电流： | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 11.6 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 12.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 6 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.6 W |
| 配置： | Dual |
| 系列： | ECH8697R |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 下降时间： | 23600 ns |
| 上升时间： | 230 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 19700 ns |
| 典型接通延迟时间： | 160 ns |
| 单位重量： | 18.150 mg |
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