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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | SOT-223 | ||
| 批号 | 1950 | ||
| 数量 | 463000 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||
| 产品种类 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-223-4 | ||
| 晶体管极性 | NPN | ||
| 配置 | Single | ||
| 集电极—基极电压 VCBO | 100 V | ||
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V | ||
| 最大直流电集电极电流 | 1 A | ||
| Pd-功率耗散 | 1.5 W | ||
| 增益带宽产品fT | 130 MHz | ||
| 最小工作温度 | - 65 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 系列 | BCP56 | ||
| 高度 | 1.57 mm | ||
| 长度 | 6.5 mm | ||
| 技术 | Si | ||
| 宽度 | 3.5 mm | ||
| 商标 | ON Semiconductor | ||
| 集电极连续电流 | 1 A | ||
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 25 | ||
| 产品类型 | BJTs - Bipolar Transistors | ||
| 工厂包装数量 | 1000 | ||
| 子类别 | Transistors | ||
| 单位重量 | 112 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | BCP56T1G | ||
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | BCP56T1G |
| 封装： | SOT-223 |
| 批号： | 1950 |
| 数量： | 463000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-223-4 |
| 晶体管极性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 80 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 0.5 V |
| 最大直流电集电极电流： | 1 A |
| Pd-功率耗散： | 1.5 W |
| 增益带宽产品fT： | 130 MHz |
| 最小工作温度： | - 65 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| 系列： | BCP56 |
| 高度： | 1.57 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 技术： | Si |
| 宽度： | 3.5 mm |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 集电极连续电流： | 1 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 25 |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | Transistors |
| 单位重量： | 112 mg |
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