Sinton少子寿命测试仪WCT-120单晶多晶硅片性能测试
Sinton少子寿命测试仪WCT-120单晶多晶硅片性能测试
产品价格:¥35.00(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:上海上海
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    商品详情
      产品参数
      品牌Sinton Instrument
      规格WCT-120
      加工定制
      商品编号(bn)WCT-120
      分类(cat_id)少子寿命测试仪
      测量原理QSSPC(准稳态光电导)
      少子寿命测量范围100 ns-10 ms
      测试模式QSSPC,瞬态,寿命归一化分析
      电阻率测量范围3–600Ohms/s
      注入范围1013-1016cm-3
      感测器范围直径40-mm
      测量样品规格标准直径 40–210 mm (或更小尺寸)
      硅片厚度范围10–2000 μm;
      可测硅片范围单晶、多晶硅片
      可售卖地全国
      型号WCT-120

      美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术,包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线,与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。
      美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术,包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线,可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。
      主要应用:分布监控和优化制造工艺



      其它应用:
      检测原始硅片的性能
      测试过程硅片的重金属污染状况
      评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏
      用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。

      主要特点:
      只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试,包括表面电阻,少子寿命,陷阱密度,发射极饱和电流密度和隐含电压。

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