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FBP 的接口模块
这种模块集成了一定数量的开关量输入/输出,并且通过它实现和CPU 的通讯和分布I/O。这个分布模块后面又可大扩展7个输入/输出模块。
AC500 Control Builder 编程
AC500 Control Builder 编程是一套可对所有系列AC500 CPU进行编程的工程工具,这套编程符合IEC61131-3的,可支持五种不同的编程语言:
-功能块(FBD)
-语句表(IL)
-梯形图(LD)
-结构文本(ST)
-顺控图(SFC)
这套可完成AC500的全部设置,包括所有的总线接口,而且还有的自诊断功能、处理、可视化调试工具和开放的数据接口。此外还可以提供离线,变量跟踪功能,配方和列表,可视化的调试工具,通讯接口的设置,开放的数据接口,工程接口.
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武汉达自动化设备有限公司
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电气
西屋模块 4D33644G01
西屋模块 4D33644G02
西屋模块 4D33644G03
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西屋模块 4D33644G05
西屋模块 4D33644G06
西屋模块 4D33645G01
西屋模块 4D33645G02
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西屋模块 4D33645G05
西屋模块 4D33646G01
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西屋模块 4D33646G05
西屋模块 4D33668G01
西屋模块 4D33676G01
西屋模块 4D33676G02
西屋模块 4D33676G03
西屋模块 4D33676G04
西屋模块 4D33710G01
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图3不同类型石墨烯能带结构:(a)完整石墨烯;(b)585-V2缺陷;(c)S-W缺陷;(d)N石墨烯下面根据石墨烯在储能器件中所起的不同作用,分别从超级电容器、锂离子电池和ORR对目前的理论研究进展进行讨论。超级电容器完整的石墨烯量子电容非常小,在充电或放电中难以为电子提供足够的能态来存储电荷。为了石墨烯的量子电容,首先考虑到的是在石墨烯中引入缺陷结构,石墨烯在费米能级处的DOS。对于SW缺陷,由于费米能级处存在五元环和八元环碳原子上pz态组成的能带,该能带将会容纳额外的电子,进而石墨烯可的电量。同时,由于存在pz准局域态,V2缺陷中缺陷附近的C原子也会容纳额外的电子。SW缺陷在作为负极时存储电荷非常有效,而V2缺陷则在作为正极时出良好的电荷存储行为。晶格中C原子被N和B替换后都会对量子电容产生影响,前者对正偏压范围内量子电容,后者则是对负偏压范围内量子电容。同时,科学家还详细讨论了石墨烯的层数、应力和表面褶皱等局部结构对量子电容的影响。由于单层石墨烯带密度较低,难以有效屏蔽电极中产生的额外电荷,所以电压容易随电荷而迅速,电容效果较差。当石墨烯层数后,所能容纳的电荷数,量子电容相应。图4为完整石墨烯、SW石墨烯、V1石墨烯、V2石墨烯、掺N石墨烯和掺B石墨烯量子电容的比较。当石墨烯在平面某个方向上尺度有限时会形成纳米带,此时电子结构特征与量子电容与完整石墨烯相比具有较大的变化。过渡金属原子也会对石墨烯的电子结构产生影响,并在石墨烯的空位上产生较强的吸附作用。