4英寸碳化硅（半绝缘型）规格书
材质：4H碳化硅晶体
直径：100 ± 0.2 mm
厚度：500 ± 20 um
表面取向：On axis ±0.5°
主参考面取向：平行于±1°
主参考面长度：30 mm ±1 mm
次参考面取向：顺时针与主参考面成 90? ± 5.0?，Si 面朝上
次参考面长度：16 mm ±1 mm
微管密度：≤50个 cm^2（数据仅作参考）
导电类型：半绝缘型
电阻率：75面积区域 ≥1E7 Ω·cm
抛光：双面抛光
Si 面粗糙度：RaTTV≤15 um（数据仅作参考）
WARP≤40 um（数据仅作参考）
BOW≤45 um（数据仅作参考）
倒边：无
多型：累计面积≤10％
裂纹，缺口： ≤2个，且每个长度宽度均＜1mm
包装：单片盒包装

关于碳化硅晶体
碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。
碳化硅（SiC）功率器件能有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。碳化硅功率器件的能量损耗只有Si器件的50，发热量只有硅器件的50，且有更高的电流密度。在相同功率等级下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅功率模块,以智能功率模块IPM为例，利用碳化硅功率器件，其模块体积可缩小至硅功率模块的1/3～2/3。