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产品参数 | |||
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品牌 | IR | ||
封装 | SOP8 | ||
批号 | 11 12 | ||
数量 | 13496 | ||
制造商 | Infineon | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安装风格 | SMD/SMT | ||
封装 / 箱体 | PQFN-8 | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V | ||
Id-连续漏极电流 | 42 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 7.1 mOhms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V | ||
Qg-栅极电荷 | 9.6 nC | ||
Pd-功率耗散 | 2.8 W | ||
配置 | Single | ||
高度 | 1 mm | ||
长度 | 6 mm | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
宽度 | 5 mm | ||
零件号别名 | SP001572498 | ||
可售卖地 | 全国 | ||
型号 | IRFH3702TRPBF |
品牌: | IR |
型号: | IRFH3702TRPBF |
封装: | SOP8 |
批号: | 11 12 |
数量: | 13496 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PQFN-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 42 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 7.1 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Qg-栅极电荷: | 9.6 nC |
Pd-功率耗散: | 2.8 W |
配置: | Single |
高度: | 1 mm |
长度: | 6 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5 mm |
零件号别名: | SP001572498 |