碳化硅（SiC）半导体材料是一种共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿 型两种结晶形式。SiC晶体存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。其中，只有4H-SiC和6H-SiC的六方结构和3C-SiC的立方结构可以用于商业用途，且4H-SiC最适用于功率元器件。碳化硅单晶处于碳化硅产业链的前沿，是高端芯片产业发展的基础和关键。SiC衬底尺寸越大，每个单位衬底上可以制造的芯片越多，边缘浪费越小，因此单位芯片成本越低。
可提供不同尺寸厚度、不同质量等级、不同类型的半导体碳化硅单晶衬底。根据导电类型，碳化硅衬底类型主要分为导电N型、P型和半绝缘型。以下列举6英寸N型与半绝缘型碳化硅衬底参数仅供参考：

1. 碳化硅衬底规格
1.1 6英寸导电N型4H-SiC衬底规格

1.2 6英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底规格

2. 碳化硅半导体材料特性
碳化硅晶片具有优异的热力学和电化学性能，具体参数如下表：

3. 碳化硅衬底片应用
导电N型碳化硅衬底主要用于碳化硅外延，制成碳化硅二极管、MOSFET等功率器件，应用在高温高压环境中，应用于新能源汽车、归到交通、智能电网、航天航空等领域。
P型碳化硅衬底电子相对空穴具有较高的迁移率，并且能够获取更低的导通压降，所以该类型衬底主要用于制备功率器件，特别是绝缘器件栅极双极晶体管 (IGBT)。
而半绝缘碳化硅衬底主要用于氮化镓（GaN）外延，制成HEMT等微波器件，用于高温高频环境，5G通信、卫星、雷达等领域。

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