MMBT1616贴片三极管
MMBT1616贴片三极管
产品价格:¥0.13(人民币)
  • 规格:MMBT1616
  • 发货地:东莞
  • 品牌:
  • 最小起订量:1个
  • 免费会员
    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:东莞市伟圣电子有限公司

    联系人:(先生)

    联系手机:

    固定电话:

    企业邮箱:410588932@qq.com

    联系地址:东莞市长安镇沙头

    邮编:523869

    联系我时,请说是在电子快手网上看到的,谢谢!

    商品详情

      专业的贴片三极管生产厂家,东莞市伟圣电子有限公司,我公司生产各种优质的贴片三极管规格型号,广泛的运用在各种电路中,生产的贴片三极管型号齐全、品质保证、交货准时、价格优势等,欢迎来电咨询

      三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。什么是三极管  (也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能是 如图所示的几种器件,

      可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里[1]面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇

      电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨的说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!!!

      电子三极管 Triode (俗称电子管的一种)

      双极型晶体管 BJT Bipolar Junction Transistor

      J型场效应管 Junction gate FETField Effect Transistor

      金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称

      V型槽场效应管 VMOS Vertical Metal Oxide Semiconductor

      注:这三者看上去都是场效应管,其实结构千差万别

      J型场效应管 金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管 是 单极(Unipolar)结构的,是和 双极(Bipolar)是对应的,所以也可以统称为单极晶体管(Unipolar Junction Transistor

      其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET VMOS都是绝缘型的场效应管

      VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的输入电容,是MOS管的一种大功率改经型产品,但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管】

       

      三极管的发明

       

      19471223日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。

      晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。

      2工作原理

       

      晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPNPNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

      对于NPN管,它是由2N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c

      b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo

      在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了。

      由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:

      Ie=Ib+Ic

      这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,IcIb是维持一定的比例关系,即:

      β1=Ic/Ib

      式中:β1--称为直流放大倍数,

      集电极电流的变化量Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:

      β= Ic/Ib

      式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

      三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。

      三极管放大时管子内部的工作原理

      1、发射区向基区发射电子

      电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。

      2、基区中电子的扩散与复合

      电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

      3、集电区收集电子

      由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。

      3三极管的分类:

       

      a.按材质分: 硅管、锗管

      b.按结构分: NPN PNP。如图所示

       

      c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.

       

      贴片三极管

      d. 按功率分:小功率管、中功率管、大功率管

      e.按工作频率分:低频管、高频管、超频管

      f.按结构工艺分:合金管、平面管

      g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管

       

      插件三极管

      4三极管的主要参数

       

      a. 特征频率fT

       

      :f= fT,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.

      b. 工作电压/电流

       

      用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.

      c. hFE

       

      电流放大倍数.

      d. VCEO

       

      集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.

      e. PCM

       

      最大允许耗散功率.

      f. 封装形式

       

      指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.

      5判断基极和三极管的类型

       

      三极管的脚位判断,三极管的脚位有两种封装排列形式,如右图:

       

      三极管是一种结型电阻器件,它的三个引脚都有明显的电阻数据,测试时(以数字万用表为例,红笔+,黒笔-)我们将测试档位切换至 二极管档 (蜂鸣档).

       

      正常的NPN结构三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的正向电阻是430Ω-680Ω(根据型号的不同,放大倍数的差异,这个值有所不同)反向电阻无穷大;正常的PNP 结构的三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的反向电阻是430Ω-680Ω,正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下,电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻,通常情况下,基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右(大功率管比较明显),如果超出这个值,这个元件的性能已经变坏,请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏,这个元件也可能不久就会损坏,大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。

      尽管封装结构不同,但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的,不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。

      要注意有些厂家生产一些不规范元件,例如C945正常的脚位是BCE,但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC,这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路,导致电路不能工作,严重时烧毁相关联的元器件,比如电视机上用的开关电源。

       

      在我们常用的万用表中,测试三极管的脚位排列图:

      先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.

      当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.

      判断集电极C和发射极E,NPN为例:

      把黑表笔接至假设的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住BC,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.

    在线询盘/留言
  • 0571-87774297