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商品详情
WT40N60，NMOS管，40V60A,N沟道场效应管
MOS类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：60 W
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极电流（ID）：60A
漏源导通电阻 RDS(on) ：18m?
工作温度(Tj) ： -55~+175℃
封装：TO-252
MOS类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：60 W
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极电流（ID）：60A
漏源导通电阻 RDS(on) ：18m?
工作温度(Tj) ： -55~+175℃
封装：TO-252
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