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商品详情
- 制造商产品型号：APTM100A13SCG
- 制造厂家名称：Microsemi Power Products Group
- 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：65A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：156 毫欧 @ 32.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：562nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15200pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1250W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP6
- 供应商器件封装：SP6
- Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。
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