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商品详情
TPS5450DDAR特性：
●宽输入电压范围为：5.5V 至 36V
●高达 5A 的持续（峰值为 6A）输出电流
●通过 110m? 集成 MOSFET 开关实现 90% 的高效率
●宽输出电压范围：可调节为低至 1.22V，初始精度为 1.5%
●内部补偿限度地减少了外部器件数量
●适用于小型滤波器尺寸的固定 500kHz 开关频率
●18μA 关断电源电流
●通过输入电压前馈改进线路调整和瞬态响应
●系统受过流限制、过压保护和热关断的保护
●–40°C 至 125°C 的工作结温范围
●采用小型热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD? 封装
TPS5450DDAR是一款高输出电流的 PWM 转换器，集成了低电阻高侧 N 沟道 MOSFET。具有所列的特性的基板上还包括高性能电压误差放大器（可在瞬态条件下提供高稳压精度）、欠压锁定电路（用于防止在输入电压达到 5.5V 前启动）、内部设置的慢启动电路（用于限制浪涌电流）以及电压前馈电路（用于改进瞬态响应）。通过使用 ENA 引脚，关断电源电流通常可减少到 18μA。其他特性包括高电平有效使能端、过流限制、过压保护和热关断。为降低设计复杂性并减少外部组件数量，TPS5450 反馈环路进行了内部补偿。
TPS5450DDAR器件采用热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD 封装。TI 提供评估模块和软件工具，有助于实现高性能电源设计，可满足迫切的器件开发周期要求。
●宽输入电压范围为：5.5V 至 36V
●高达 5A 的持续（峰值为 6A）输出电流
●通过 110m? 集成 MOSFET 开关实现 90% 的高效率
●宽输出电压范围：可调节为低至 1.22V，初始精度为 1.5%
●内部补偿限度地减少了外部器件数量
●适用于小型滤波器尺寸的固定 500kHz 开关频率
●18μA 关断电源电流
●通过输入电压前馈改进线路调整和瞬态响应
●系统受过流限制、过压保护和热关断的保护
●–40°C 至 125°C 的工作结温范围
●采用小型热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD? 封装
TPS5450DDAR是一款高输出电流的 PWM 转换器，集成了低电阻高侧 N 沟道 MOSFET。具有所列的特性的基板上还包括高性能电压误差放大器（可在瞬态条件下提供高稳压精度）、欠压锁定电路（用于防止在输入电压达到 5.5V 前启动）、内部设置的慢启动电路（用于限制浪涌电流）以及电压前馈电路（用于改进瞬态响应）。通过使用 ENA 引脚，关断电源电流通常可减少到 18μA。其他特性包括高电平有效使能端、过流限制、过压保护和热关断。为降低设计复杂性并减少外部组件数量，TPS5450 反馈环路进行了内部补偿。
TPS5450DDAR器件采用热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD 封装。TI 提供评估模块和软件工具，有助于实现高性能电源设计，可满足迫切的器件开发周期要求。
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