Gate turn-off Thyristor 5SGA 20H2501
VDRM = 2500 V
ITGQM = 2000 A
ITSM = 16 kA
VT0 = 1.66 V
rT = 0.57 mW
VDClin = 1400 V
自由漂浮硅技术
低导通损耗和开关损耗
环形闸极
工业标准外壳
宇宙辐射耐受等级
门极可关断晶闸管(GTO)的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种,可以通过门极施加反向电流使其关断。GTO 的生产始于 20 世纪 80 年代中期。GTO 是一种晶闸管,向门级反向施加电流便可关断,反之则导通。
GTO 经过优化,传导损耗很低。对于大多数应用,典型的开关频率在 200 - 500 赫兹范围内。GTO 本质上是相对较慢的开关。从开到关的典型转换时间在 10 - 30 微秒范围内,反之亦然。GTO 的导通和关断都需要称为“缓冲器”的保护网络。导通缓冲器电路本质上是电感器,可以限制电流上升的速率。至于关断,GTO 需要一个限制电压上升速率的器件,从本质上来说就是电容器。日立能源所有的 GTO 都是压接封装器件。以大力将 GTO 压接到散热器上,而散热器也当作电源端子的电触点。