苏州银邦主营:

西门康赛米控(Semikron)公司; IGBT模块、 智能功率模块(SKiiP)、 晶闸管/二极管模块，整流桥、晶闸管/二极管分立器件、驱动电路、驱动板
英飞凌(infineon)功率模块公司: IGBT模块、 IGBT单管， 晶闸管/二极管、整流桥、驱动IC及驱动板、富士(FUJI) 功率模块
公司: IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、 驱动电路
三菱. (mitsubishi)功率模块公司: IGBT模块、PIM模块、IPM模块、驱动电路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驱动器
德国(IXYS) 艾赛斯功率模块公司:可控硅模块、 快恢复二极管、整流桥模块、晶闸管模块
三社（SanRex）可控硅模块 二极管 快恢复二极管
巴斯曼（BUSSMANN）熔断器 西门子 罗兰熔断器

IGBT工作原理
  方法：
  IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
  导通：
  IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（MOSFET 电流）； 一个空穴电流（双极）。