LED封装方式是以芯片借由打线、共晶或覆晶的封装技术与其散热基板连结而成LED芯片，再将芯片固定于系统板上连结成灯源模组。  

       目前，LED封装方法大致可区分为透镜式以及反射杯式，其中透镜的成型可以是模塑成型透镜黏合成型；而反射杯式芯片则多由混胶、点胶、封装成型；近年来磊晶、固晶及封装设计逐渐成熟，LED的芯片尺寸与结构逐年微小化，高功率单颗芯片功率达1~3W，甚至是3W以上，当LED功率不断提升，对于LED芯片载版及系统电路版的散热及耐热要求，便日益严苛。 鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考量，氮化铝陶瓷基板成为以芯片次黏着技术的重要材料之一。其技术可分为厚膜工艺、低温共烧工艺与薄膜工艺等方式制成。然而，厚膜工艺与低温共烧工艺，是利用网印技术与高温工艺烧结，易产生线路粗糙、对位不精准、与收缩比例问题，若针对线路越来越精细的高功率LED产品，或是要求对位准确的共晶或覆晶工艺生产的LED产品而言，厚膜与低温共烧的氮化铝陶瓷基板，己逐渐不敷使用。

       为此，高散热系数薄膜陶瓷散热基板，运用溅镀、化学沉积，以及黄光微影工艺而成，具备金属线路精准、材料系统稳定等特性，适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的发展趋势，更是解决了共晶封装工艺对陶瓷基板金属线路解析度与精确度的严苛要求。当LED芯片以氮化铝陶瓷作为载板时，此led模组的散热瓶颈则转至系统电路板，其将热能由LED芯片传至散热鳍片及大气中，随着LED芯片功能的逐渐提升，材料亦逐渐由FR-4转变至金属芯印刷电路基板，但随着高功率LED的需求进展，MCPCB材质的散热系数无法用于更高功率的产品，为此，氮化铝陶瓷电路板的需求便逐渐普及，为确保LED产品在高功率运作下的材料稳定性与光衰稳定性，以氮化铝陶瓷作为散热及金属布线基板的趋势已日渐明朗。氮化铝陶瓷材料目前成本高于MCPCB，因此，如何利用氮化铝陶瓷高散热系数特性下，节省材料使用面积以降低生产成本，成为陶瓷LED发展的重要指标之一。因此，近年来，以氮化铝陶瓷材料COB设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商的重视。   

       COB，在电子制造业里并不是一项新鲜的技术，是指直接将裸外延片黏贴在电路板上，并将焊线直接焊接在PCB的镀金线路上，也是俗称中的打线，再透过封胶的技术，有效的将IC制造过程中的封装步骤转移到电路板上直接组装。在LED产业中，由于现代科技产品越来越讲究轻薄与高可携性，此外，为了节省多颗LED芯片设计的系统板空间问题，在高功率LED系统需求中，便开发出直接将芯片黏贴于系统板的COB技术。  

       COB的优点在于：高成本效益、线路设计简单、节省系统板空间等，但亦存在着芯片整合亮度、色温调和与系统整合的技术门槛。以25W的LED为例，传统高功率25W的LED光源，须采用25颗1W的LED芯片封装成25颗LED元件，而COB封装是将25颗1W的LED芯片封装在单一芯片中，因此需要的二次光学透镜将从25片缩减为1片，有助于缩小光源面积、缩减材料、系统成本，进而可简化光源系二次光学设计并节省组装人力成本。此外，高功率COB封装仅需单颗高功率LED即可取代多颗1瓦(含)以上LED封装，促使产品体积更加轻薄短小。

  目前市面上，生产COB产品仍以使用MCPCB基板为主，然而MCPCB仍有许多散热以及光源面积过大的问题须解决，故其根本之道，还是从散热材料更新为有效的解决方案。氮化铝陶瓷COB基板有以下几个优势：

    （1）更高的热导率和更匹配的热膨胀系数；

    （2）更牢、更低阻的导电金属膜层；

    （3）基板的可焊性与耐焊性好，使用温度范围广；

    （4）绝缘性好；

    （5）导电层厚度在1μm～1mm内可调；

    （6）高频损耗小，可进行高频电路的设计和组装；

    （7）可进行高密度组装，从而实现设备的短、小、轻、薄化；

    （8）不含有机成分，耐宇宙射线，在航空航天方面可靠性高，使用寿命长；

    （9）铜层不含氧化层，可以在还原性气氛中长期使用。

    （10）三维基板、三维布线。