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商品详情
产品信息资料
| FET 类型 | P 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.15V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.9nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 280pF @ 10V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 290mW（Ta），1.67W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 200 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | SOT-323-3 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
优势货源：
L6472HTR
L6375S
PMF170XP
PI3EQX6741STZDEX
L6230PD
L6235Q
L6208QTR
L6227QTR
L6228N
L5983TR
A5973D
A7985A
A7986A
HVLED807PFTR
L2293Q
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