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明佳达全新出售NTMD4N03R2G双N沟道管,原装正品,量大价优,欢迎广大商友致电联系。
规格:
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
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FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 4A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 60 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 400pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
其他货源:
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