气体传感器阐述

人们已经发现SnO2、ZnO、Fe2O3、Cr2O3、MgO、NiO2等材料都存在气敏效应。用这些金属氧物制成的气敏薄膜是一种阻抗器件，气体分子和敏感膜之间能交换离子，发生还原反应，引起敏感膜电阻的变。作为传感器还要求这种反应必须是可逆的，即为了消除气体分子还必须发生一次氧反应。传感器内的加热器有助于氧反应进程。

气体传感器描述

气敏二极管的特性曲线左移可以看作二极管导通电压发生改变，这一特性如果发生在场效应管的栅极，将使场效应管的阈值电压UT改变。利用这一原理可以制成MOSFET型气敏器件。

氢气敏MOSFET是一种最典型的气敏器件，它用金属钯(Pd)制成钯栅。在含有氢气的气氛中，由于钯的催作用，氢气分子分解成氢原子扩散到钯与二氧硅的界面，最终导致MOSFET的阈值电压UT发生变。使用时常将栅漏短接，可以MOSFET工作在饱和区，此时的漏极电流ID=β(UGS—UT)2，利用这一电路可以测出氢气的浓度。

气体传感器定做

根据单一的红外吸收峰位置只能判定气体分子中有什么基团，精确判定气体种类需要看气体在中红外区所有的吸收峰位置即气体的红外吸收指纹。但在已知环境条件下，根据单一红外吸收峰的位置可以大致判定气体的种类。由于在零下273摄氏度即绝对零度以上的一切物质都会产生红外幅射，红外幅射与温度正相关，因此，同催元件一样，为消除环境温度变引起的红外幅射的变，红外气体传感器中会由一对红外构成。

一个完整的红外气体传感器由红外光源、光学腔体、红外和信号调理电路构成。